AP4933GM-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号: AP4933GM-VB  
丝印: VBA4338  
品牌: VBsemi  
参数: 2个P—Channel沟道, -30V；-7A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5V；  
封装: SOP8  

详细参数说明:  
- 通道类型: 2个P—Channel
- 最大耐压: -30V
- 最大电流: -7A
- 开态电阻: RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, 35mΩ @ VGS=20V
- 门极阈值电压: -1.5V

应用简介:  
AP4933GM-VB是一款双P—Channel沟道功率MOSFET，适用于多种领域的电路设计。其特点包括耐压性好、低导通电阻等。主要应用领域包括但不限于：
1. 电源管理模块：可用于开关电源、DC-DC变换器等模块中，提供有效的功率转换和稳定的电源输出。
2. 电池保护模块：适用于移动电子设备、电动工具等的电池管理系统，保护电池免受过流和过压等问题。
3. 电路保护模块：可用于电路保护、过载保护等模块，保护电路免受异常工作状态的影响。

举例说明：  
- 在电源管理模块中，AP4933GM-VB可用于开关电源的功率开关和调节电路，确保稳定的电源输出。
- 在电池保护模块中，AP4933GM-VB可用于移动电子设备的电池保护系统，保护电池免受过流和过压等问题。
- 在电路保护模块中，AP4933GM-VB可用于各类电路保护模块，如过载保护模块，保护电路免受异常工作状态的影响。