BSS314PE-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

本文介绍了VBsemi品牌BSS314PE-VB场效应晶体管,包括其SOT23封装、-30V额定电压和-5.6A额定电流等参数。文章还着重阐述了该器件在电源管理、便携设备、LED驱动和消费电子领域的应用,强调了其在高效和低功耗设计中的价值。
摘要由CSDN通过智能技术生成

BSS314PE-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介:

- **参数说明:**
  - 丝印: VB2355
  - 品牌: VBsemi
  - 封装: SOT23
  - 极性: P—Channel
  - 额定电压(VDS): -30V
  - 额定电流(ID): -5.6A
  - RDS(ON): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压(Vth): -1V

- **应用简介:**
  - BSS314PE-VB适用于多种电源管理和开关电源应用,特别适用于需要P—Channel MOSFET的电路设计。
  - 该器件基于其性能参数,广泛应用于要求高效、紧凑和低功耗的电子设备。

- **领域和模块应用:**
  - **电源管理模块:** 用于开关电源和稳压器,提高电源效率和稳定性。
  - **便携式设备:** 在手机、平板电脑等设备中,有助于优化电源性能和续航。
  - **LED驱动器:** 用于LED照明系统中的功率调节和控制。
  - **消费电子:** 在各种电子产品中,提供高效的电源开关解决方案。

请注意,具体应用需根据系统需求和电路设计进行验证。

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