CPH3422-TL-E-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

### 详细参数说明：

**型号：** CPH3422-TL-E-VB  
**丝印：** VB1695  
**品牌：** VBsemi  
**封装：** SOT23  
**参数：**  
- 沟道类型：N—Channel
- 最大耐压：60V
- 额定电流：4A
- 导通电阻：RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=1~3V

### 应用简介：

该器件采用SOT23封装，属于N—Channel沟道类型，具有60V的最大耐压，适用于在低电压和中功率应用中发挥作用。其4A的额定电流和低导通电阻(RDS(ON))，表明其在电流较大的情况下仍能保持较低的功耗。阈值电压(Vth)在1~3V范围内，可满足多种控制电路的需求。

### 适用领域和模块举例：

1. **电源管理模块：** 由于器件具有较高的最大耐压和适度的额定电流，可用于电源管理模块，如稳压器和开关电源，以提供稳定的电源输出。

2. **电机驱动模块：** 4A的额定电流使其适用于小型电机的驱动模块，例如电动工具、风扇和其他电动设备。

3. **LED照明控制：** 低导通电阻和N-Channel沟道特性使其成为LED照明控制模块的理想选择，以确保高效的能量转换。

4. **低功耗电子设备：** 由于阈值电压较低，可在低功耗电子设备中使用，例如便携式电子产品和传感器接口模块。

总体而言，CPH3422-TL-E-VB适用于多种领域，特别是在需要高效能耗管理和小型封装的应用中，能够提供可靠的性能。