HAT2038R-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi品牌 HAT2038R-VB
丝印：VBA3638
参数：
- 2个N-沟道，60V，6A
- RDS(ON)=27mΩ @ VGS=10V，VGS=20V
- Vth=1.5V
封装：SOP8

详细参数说明：
HAT2038R-VB是一款具有2个N-沟道的功率场效应晶体管。其工作电压为60V，最大电流为6A。在不同的栅极-源极电压下，其导通电阻RDS(ON)分别为27mΩ，VGS=10V时和VGS=20V时。门阈电压为1.5V。封装采用SOP8封装形式。

应用简介：
这款产品适用于各种电源模块、电机驱动器和功率管理应用。例如，它可以用于直流-直流转换器、电源逆变器、电机驱动器以及电源开关等领域。其高性能和可靠性使其成为工业自动化、电力电子和电动汽车等领域中的理想选择。