J211-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**产品型号：** J211-VB

**丝印：** VB2101K

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大工作电压：-100V
- 最大电流：-1.5A
- 开启电阻：RDS(ON)=500mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-2.5V

**封装：**
- 封装类型：SOT23

**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** 该产品采用P—Channel沟道，适用于负载在负电源下的应用。
- **最大工作电压（Maximum Operating Voltage）：** 产品支持最大工作电压为-100V，适用于需要负电源的电路。
- **最大电流（Maximum Current）：** 产品最大支持-1.5A电流，适用于低功率需求的电路。
- **开启电阻（On-Resistance）：** 在VGS=10V和VGS=20V条件下，开启电阻为500mΩ，表明产品在导通状态时具有适中的电阻，适用于低功率应用。
- **阈值电压（Threshold Voltage）：** 产品的阈值电压为-2.5V，这是沟道开始导通的电压。

**应用简介：**
该产品适用于SOT23封装，P—Channel沟道，特别适用于以下领域和模块：

1. **低功率电源模块：** 由于产品支持较低电流和适中的开启电阻，可用于低功率电源模块，如便携设备的电源管理。

2. **信号开关模块：** 产品适用于低功率电路，可用于信号开关模块，如信号调节和切换。

3. **电流限制器模块：** 由于产品最大支持-1.5A电流，可用于需要对电流进行限制的模块，如电流限制器。

4. **电源保护模块：** 产品适用于低功率电路，可用于电源保护模块，确保电源稳定性。

请根据具体的电路设计需求和应用场景，选择是否采用J211-VB产品，并确保符合相关电气规范和要求。