MTE100N10KRN3-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

MTE100N10KRN3-VB 丝印：VB1101M 品牌：VBsemi 参数：SOT23；N—Channel沟道，100V；4.3A；RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V 封装：SOT23

详细参数说明：
- 型号：MTE100N10KRN3-VB
- 丝印：VB1101M
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 封装类型：SOT23
  - 沟道类型：N—Channel
  - 额定电压：100V
  - 额定电流：4.3A
  - 开启电阻：120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：1.2~2.8V

应用简介：
MTE100N10KRN3-VB 是一款适用于SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管。其特性包括负载电压高、电流大，适用于多种电路和模块应用。由于其高额定电压和低阈值电压，该器件常用于需要高性能、高可靠性的电子设备中，如电源逆变器、开关电源、电机驱动等。

举例说明：
MTE100N10KRN3-VB 可广泛应用于电源逆变器、工业电机驱动、电源管理模块等领域。在功率电子模块中，它可以用于设计高性能、高效率的电源系统，以及其他需要稳定、可靠的电流开关控制的应用。