P1003EVG-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** P1003EVG-VB

**丝印：** VBA2311

**品牌：** VBsemi

**详细参数说明：**
- 沟道类型：P-Channel
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-11A
- 开通电阻：RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth = -1.42V

**封装：** SOP8

**应用简介：**
P1003EVG-VB是一款高性能P-Channel沟道MOSFET，专为对高性能和可靠性要求高的电子应用而设计。具备-30V的额定电压和-11A的最大电流，RDS(ON)为10mΩ，Vth为-1.42V。

**适用领域和模块举例：**
1. **电源逆变器：** 由于其负向额定电压和低开通电阻，适用于电源逆变器中的功率开关和逆变控制。

2. **电动汽车控制器：** 在电动汽车控制系统中，P1003EVG-VB可用于电机驱动和电源管理，实现高效的电能转换。

3. **电池管理系统：** 用于电池管理系统，提供可靠的电流控制和电压稳定性，适用于锂电池等电源。

4. **风扇速度控制器：** 在风扇控制器中，其可调的电流和电压特性使其成为风扇速度控制的理想选择。

VBsemi的P1003EVG-VB产品适用于多个领域，为各种高性能电子模块提供了可靠的解决方案。