型号:SI2308ADS-T1-GE3-VB
丝印:VB1695
品牌:VBsemi
封装:SOT23
**详细参数说明:**
- 类型:N-沟道MOSFET
- 额定电压(V<sub>DS</sub>):60V
- 额定电流(I<sub>D</sub>):4A
- 静态漏极-源极电阻(R<sub>DS(ON)</sub>):85mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10V, V<sub>GS</sub> = 20V
- 阈值电压(V<sub>th</sub>):1~3V
**应用简介:**
SI2308ADS-T1-GE3-VB是一款N-沟道MOSFET,适用于多种电源和功率管理应用。其具有高额定电压、高电流承载能力和低静态漏极-源极电阻的特性,使其成为电子设备设计中的理想选择。
**适用领域和模块举例:**
1. **电源模块:** 由于SI2308ADS-T1-GE3-VB具有较高的额定电压和电流承载能力,适用于电源模块的设计,如开关电源、直流-直流转换器等。
2. **电机驱动:** 在需要控制电机的应用中,SI2308ADS-T1-GE3-VB可以作为功率开关元件,用于电机驱动电路中。
3. **LED照明:** 适用于LED照明驱动电路,帮助实现高效的电能转换和亮度控制。
4. **电池管理系统:** 在需要管理电池充放电的系统中,SI2308ADS-T1-GE3-VB可用于电池保护电路,实现高效的电池管理。
5. **工业自动化:** 用于工业自动化设备中的功率开关电路,提供可靠的电力控制。
总体而言,SI2308ADS-T1-GE3-VB适用于各种需要高性能MOSFET的应用场景,特别是在需要高电压和电流的领域中,能够为系统提供可靠的功率开关功能。