2SK1036-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**型号：2SK1036-VB**

2SK1036-VB是一款采用TO-220封装的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有中等漏极电压和低导通电阻，适用于需要中功率和低功耗的应用场景。其采用了Trench技术，具备良好的电气特性和可靠性。

### 详细参数说明

- **封装：** TO-220
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)：** 250V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vth)：** 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))：** 190mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)：** 14A
- **技术：** Trench

### 应用领域和模块实例

**1. 电源管理模块：**

2SK1036-VB适用于中功率电源管理模块，如工控电源和服务器电源。其低导通电阻和高漏极电流特性能够提供高效率和可靠性。

**2. 电动汽车控制器：**

在电动汽车的电机控制器中，该MOSFET可用于功率开关和电流调节器。其中等漏极电压和低导通电阻有助于提高电动汽车的效率和续航里程。

**3. 工业控制系统：**

2SK1036-VB可应用于工业控制系统中的电机控制模块。其高漏极电流和低导通电阻可提高设备的效率和响应速度。

**4. LED照明驱动器：**

在LED照明领域，该型号可用于LED驱动器的电源开关和调光控制。其低导通电阻和高漏极电流能够提高LED照明系统的效率和稳定性。

以上应用实例展示了2SK1036-VB MOSFET在中功率和低功耗要求的领域中的广泛适用性，体现了其在现代电子设备中的重要性。