SI2308-CMN2308S-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号:** SI2308-CMN2308S-VB

**丝印:** VB1695

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 最大电压: 60V
- 最大电流: 4A
- 开通电阻 (RDS(ON)): 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 1~3V

**应用简介:**
适用于SOT23封装的N—Channel沟道场效应晶体管。具有较低的开通电阻和适度的阈值电压，可在不同电路中提供可靠的性能。

**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理模块:**
   - 由于较低的开通电阻和适度的阈值电压，适用于电源管理模块，提供高效的功率开关。

2. **电流控制模块:**
   - 在需要控制电流的应用中，如电机驱动或电流调节模块，能够提供可靠的电流控制。

3. **LED驱动模块:**
   - 适用于LED驱动电路，确保高效的电源管理和适度的电流控制，以延长LED寿命。

4. **电源逆变器:**
   - 在电源逆变器中，能够提供所需的高电压和电流，同时保持较低的功率损耗。

请注意，具体的应用领域可能根据设计要求而异，建议根据具体应用场景和电路要求进行选择。 SI2308-CMN2308S-VB 可能在与 SI2308 相关的电路设计中发挥更广泛的作用。