HM3400C-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

型号: HM3400C-VB

丝印: VB1330

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 30V
- 最大电流: 6.5A
- 开态电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

封装: SOT23

**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** SOT23,表明该器件使用SOT23封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel,指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 30V,说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 6.5A,表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,说明在特定的栅源电压下,开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1.2~2.2V,表示在栅源电压作用下,器件从关态切换到开态所需的电压范围。

**应用简介:**
HM3400C-VB是一款N-Channel MOSFET,适用于多种应用领域,包括但不限于:
1. **电源开关:** 由于其N沟道性质,可用于电源开关和电源逆变器。
2. **电池保护:** 适用于电池管理系统,用于保护电池免受过放电和过充电的影响。
3. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器和其他电源逆变器,提供高效的能量转换。
4. **电源管理模块:** 适用于各种电源管理应用,如开关电源、电池管理等。

请注意,在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册,以确保正确的使用和性能。

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