SP8J62-TB-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: SP8J62-TB-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -7A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1.5V
封装: SOP8

详细参数说明:
这款器件具有两个P-Channel沟道，适用于负载和功率控制应用。其额定电压为-30V，最大电流为-7A，静态漏极-源极电阻为35mΩ，在不同的门源电压下表现稳定。阈值电压为-1.5V，适用于低压控制应用。

应用简介:
1. 电源管理模块: 由于SP8J62-TB-VB具有两个P-Channel沟道，适用于电源开关和电源管理模块，可用于低压降电压转换器和稳压器等应用。
2. 电动工具: 该器件的高电流特性和低漏极-源极电阻使其非常适合用于电动工具的电源开关和电流控制，例如电动钻和电动锯等。
3. 汽车电子: SP8J62-TB-VB可以应用于汽车电子系统中，如车灯控制模块和电动窗控制器等，以实现高效的电源管理和电流控制。

这些示例说明了SP8J62-TB-VB器件在电源管理、电动工具和汽车电子等领域的适用性和应用场景。