型号:SP8K22FU7TB-VB
丝印:VBA3638
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:6A
- 开态电阻:27mΩ(在VGS=10V,VGS=20V时)
- 阈值电压:1.5V
封装:SOP8
**详细参数说明:**
SP8K22FU7TB-VB是一款N沟道MOSFET,适用于工作电压为60V的电路。它具有6A的额定电流和低开态电阻(27mΩ@VGS=10V,VGS=20V),确保了高效的电流传输。阈值电压为1.5V,可实现精确的电流控制。封装采用SOP8,便于PCB板上的布局和安装。
**应用简介:**
这款MOSFET适用于各种电子设备和模块,特别是在以下领域:
1. 电源管理模块:由于其高电压和电流特性,SP8K22FU7TB-VB可用于开关电源、稳压器和DC-DC变换器等电源管理模块。
2. 电机驱动:在电机控制电路中,该MOSFET可以用作电机驱动器,如步进电机驱动、直流电机控制等。
3. LED照明:SP8K22FU7TB-VB的低开态电阻和高电流特性使其成为LED驱动电路中的理想选择,可用于LED灯条、LED灯泡等照明产品。
4. 电池管理:在充放电保护电路中,这款MOSFET可用于电池管理系统,如充电管理、电池保护等。
例子:
- 用于开关电源中的功率开关模块,确保高效的能量转换。
- 作为步进电机驱动器,控制3D打印机中的步进电机的转动。
- 集成到LED驱动电路中,控制汽车前灯的亮度和闪烁模式。
- 用于锂电池充放电保护电路,确保锂电池的安全充放电和长寿命。