SP8K22FU6TB-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

最新推荐文章于 2024-06-06 14:47:10 发布
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分类专栏： 半导体科普大全（MOS管） mosfet型号参数解析 MOSFET 文章标签： MOSFET vbsemi MOS管
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版权

型号: SP8K22FU6TB-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi
封装: SOP8

详细参数说明:
- 沟道类型: N沟道
- 最大工作电压: 60V
- 最大连续漏极电流: 6A
- 静态漏极-源极电阻: 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门-源阈值电压: 1.5V

应用简介:
SP8K22FU6TB-VB是一款N沟道MOSFET功率器件，具有60V的最大工作电压和6A的最大连续漏极电流。其低静态漏极-源极电阻和低门-源阈值电压使其在各种功率电路中表现出色。

应用示例:
1. 电源模块: 由于SP8K22FU6TB-VB具有较高的工作电压和电流能力，可用于开关电源、电源逆变器和DC-DC转换器等功率电源模块中，提供稳定的电源输出。
2. 驱动器模块: 在电机驱动器和LED驱动器等应用中，SP8K22FU6TB-VB可用作电流控制开关，有效控制驱动器的输出功率和电流。
3. 电机控制模块: 作为电机控制器中的功率开关，SP8K22FU6TB-VB能够实现电机的启动、停止和速度控制，广泛应用于家用电器、工业自动化等领域。

总之，SP8K22FU6TB-VB具有优异的性能和广泛的应用领域，适用于电源模块、驱动器模块和电机控制模块等多种电力电子应用中。

微碧VBsemi
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SP8K22FU6TB-VB一款2个N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
06-06
SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5V；
SP8K22FU7TB-VB一款2个N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
06-06
SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5V；
SP8K22FU7TB-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-06 122
它具有6A的额定电流和低开态电阻（27mΩ@VGS=10V，VGS=20V），确保了高效的电流传输。3. LED照明：SP8K22FU7TB-VB的低开态电阻和高电流特性使其成为LED驱动电路中的理想选择，可用于LED灯条、LED灯泡等照明产品。1. 电源管理模块：由于其高电压和电流特性，SP8K22FU7TB-VB可用于开关电源、稳压器和DC-DC变换器等电源管理模块。2. 电机驱动：在电机控制电路中，该MOSFET可以用作电机驱动器，如步进电机驱动、直流电机控制等。**详细参数说明：**
SP8K22-TB-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-06 108
这些领域和模块需要高性能的功率MOSFET来实现电路的稳定性、效率和可靠性，而SP8K22-TB-VB作为一款性能优异的器件，能够满足这些要求，因此是这些应用中的理想选择。3. 照明系统：适用于LED驱动器和照明控制器，能够提供稳定的电流输出和高效的能量转换，使LED灯具具有更长的寿命和更好的亮度控制。1. 电源管理模块：用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等模块中，能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。- 开启电阻：27mΩ（在VGS=10V、VGS=20V时）产品型号：SP8K22-TB-VB。
SP8M21FU6TB-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-06 385
在LED照明驱动器中，SP8M21FU6TB-VB可用于实现高效的电能转换和可靠的照明控制，提升LED照明系统的性能和稳定性。- 电流: 8A (正向)/-7A (反向)- 沟道类型: N+P—Channel。- 阈值电压 (Vth): ±1.8V。1. 无线通信基站功率放大器。- 丝印: VBA5415。- 品牌: VBsemi。- 工作电压: ±40V。2. 汽车电池管理系统。3. 工业电源逆变模块。4. LED照明驱动器。- 封装: SOP8。
SP8K32-TB-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-06 343
**门源电压阈值低：** 门源电压阈值为1.5V，使得器件能够在较低的驱动电压下工作，提高了系统的效率和稳定性。- **低导通电阻：** 在VGS=10V和VGS=20V时，导通电阻仅为27mΩ，能够提供较低的功耗和热损耗。2. **电机驱动器：** 用作电机驱动器中的开关元件，控制电机的启停和速度调节，适用于各种电动工具和家用电器。- **高电压和电流能力：** 额定电压为60V，额定电流达到6A，适用于要求较高电压和电流的应用场景。- **额定电压：** 60V。- **封装：** SOP8。
SP8K31-TB-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-06 230
以上是SP8K31-TB-VB的详细参数说明和应用简介，该产品可广泛应用于各种电子设备和系统中，提供可靠的功率开关和电流控制功能。4. 工业自动化：可用于各种工业自动化设备中的功率开关和电流控制模块，提高系统效率和可靠性。3. 电动车辆：适用于电动车辆的电机驱动器和电源控制模块，提供高效的动力传输和能量管理。5. LED照明：适用于LED驱动器和照明控制模块，提供高效的LED驱动和亮度调节功能。2. 电动工具：可用于电动工具的电机驱动器，提供高效的电流控制和功率输出。型号：SP8K31-TB-VB。
SP8K33-TB-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-06 177
SP8K33-TB-VB是一款具有2个N型沟道的MOSFET器件，适用于电压不超过60V，电流不超过6A的应用场合。这些示例说明了SP8K33-TB-VB适用于多种领域和模块，并可提供高效能耗管理和可靠的功率控制。4. 工业自动化：可用于工业自动化设备中的电机驱动器和控制模块，实现精准的运动控制和能耗管理。3. 电动车辆：可用于电动汽车或电动自行车的电动驱动系统中，提供高效率的电力传输和控制。2. 电动工具：适用于电动工具中的电机驱动器，提供可靠的功率控制和高效能转换。产品型号：SP8K33-TB-VB。
SP8J4-TB-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
06-06 318
3. **电池保护模块：** 在电池保护模块中，SP8J4-TB-VB可用作电池保护器的主要控制器，用于监测电池的电压和电流，并在电池过放或过充时进行保护控制。2. **电机驱动器：** 在电机驱动器中，SP8J4-TB-VB可用作电机驱动器的功率开关，用于控制电机的启停和转速调节。1. **电源管理模块：** 在电源管理模块中，SP8J4-TB-VB可用作负载开关，用于控制电源的开关和调节。**产品型号：** SP8J4-TB-VB。- **工作电压：** -30V。- **最大电流：** -7A。
SP8J2-TB-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
06-06 180
SP8J2-TB-VB是VBsemi品牌推出的P-Channel MOSFET器件，具有两个P—Channel沟道。总之，SP8J2-TB-VB适用于需要P-Channel MOSFET的各种电路设计，特别是需要低导通电阻和高性能的应用场合。3. LED照明系统：在LED照明系统中，可作为LED驱动电路中的电源开关，实现LED的控制和调光功能。**型号：** SP8J2-TB-VB。**丝印：** VBA4338。**品牌：** VBsemi。**封装：** SOP8。**详细参数说明：**
SP8J3-TB-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
06-06 292
1. **电源开关模块：** 作为P—Channel沟道场效应晶体管，可用于电源开关模块中，实现对电路的高效开关控制。3. **电源逆变器：** 适用于电源逆变器中的功率开关模块，确保逆变器的高效工作，实现直流到交流的转换。4. **LED照明控制：** 在LED照明控制模块中，可用于功率开关控制，实现LED灯的开关和亮度调节。2. **电机驱动控制：** 在电机驱动控制中，可应用于功率开关模块，用于电机的启停和转向控制。**SP8J3-TB-VB 详细参数说明：**- 品牌：VBsemi。
SP8K22-TB-VB一款2个N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
06-06
SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5V；
SP8M21FU6TB-VB一款N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
06-06
SOP8；N+P—Channel沟道,±40V；8/-7A；RDS(ON)=15/19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.8V；
SP8K32-TB-VB一款2个N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
06-06
SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5V；
pi_heif-0.17.0-pp310-pypy310_pp73-macosx_12_0_x86_64.whl
07-27
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07-27
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matlab 20244a 6
07-27
matlab 20244a 6
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最新发布
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