SP8M21TB-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**SP8M21TB-VB**

**丝印：** VBA5415

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 沟道类型：N+P—Channel
- 最大承受电压：±40V
- 最大电流：8A（正向）/-7A（反向）
- 开态电阻：RDS(ON)=15mΩ @ VGS=10V；RDS(ON)=19mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压：Vth=±1.8V

**封装：** SOP8

**详细参数说明：**

SP8M21TB-VB是一款高性能的N+P沟道MOSFET，专为在±40V的最大承受电压下提供卓越的电源和电流控制而设计。关键参数包括8A的正向电流和-7A的反向电流能力，以及在VGS=10V和VGS=20V时分别为15mΩ和19mΩ的低开态电阻。阈值电压为±1.8V，适用于各种电源和电流控制应用。

**应用简介：**

SP8M21TB-VB在多个领域中发挥着重要作用，提供可靠的电源和电流控制功能。以下是一些典型的应用领域和模块：

1. **电动车辆（EV）驱动：** 由于其高电压和电流承受能力，SP8M21TB-VB可用于电动车辆驱动系统，作为功率开关用于电机驱动和电流控制。

2. **电源开关模块：** 在电源开关模块中，SP8M21TB-VB可以用于电源开关和调光电路，提供高效的电源控制解决方案。

3. **太阳能逆变器：** 在太阳能发电系统中，SP8M21TB-VB可用于逆变器模块，实现太阳能电能的高效转换。

4. **工业电源系统：** 在各类工业电源系统中，SP8M21TB-VB可用于开关电源、电源逆变器和电源调整模块，提供高效、稳定的电源输出。

SP8M21TB-VB的卓越性能使其成为各种电源和电流控制应用的理想选择，确保系统在不同领域中取得卓越的性能表现。