SSM4423GM-VB一款SOP8封装P—Channel场效应MOS管

**型号：** SSM4423GM-VB

**丝印：** VBA2311

**品牌：** VBsemi

**技术参数：**
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大承受电压：** -30V
- **最大电流：** -11A
- **导通电阻：** RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- **阈值电压：** Vth=-1.42V

**封装：** SOP8

**详细技术参数说明：**
SSM4423GM-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，其最大承受电压为-30V，最大电流为-11A。其导通电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为10mΩ。阈值电压为-1.42V。该器件采用SOP8封装。

**应用简介：**
SSM4423GM-VB适用于多种功率开关和电源管理应用，提供卓越性能和可靠性。

**应用示例：**
1. **无线通信设备：** 在无线通信设备中，SSM4423GM-VB可用于功率开关，确保高效的能源转换。

2. **电动汽车充电模块：** 该器件适用于电动汽车充电模块，实现高效的电源管理和功率开关。

通过采用SSM4423GM-VB，您可以在多种功率开关和电源管理应用中取得卓越性能和可靠性。