VBsemi UT2316L-AE3-R-VB 参数:
- 封装:SOT23
- 类型:N-通道MOSFET
- 漏极-源极电压(Vds):30V
- 连续漏极电流(Id):6.5A
- 导通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V
应用概述:
UT2316L-AE3-R-VB 是一款SOT23封装的N-通道MOSFET,适用于多种应用。以下是其参数和应用的简要概述:
1. **封装和类型:**
- SOT23封装,适用于有空间限制的设计。
- N-通道MOSFET,适用于控制负电信号。
2. **电气特性:**
- **电压额定值:**
- 漏极-源极电压(Vds):30V,适用于中等电压应用。
- **电流额定值:**
- 连续漏极电流(Id):6.5A,可处理中等到较高电流负载。
- **导通电阻:**
- RDS(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,表明具有低电阻以实现高效导通。
3. **阈值电压:**
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V,指定MOSFET开始导通的栅极电压范围。
应用:
UT2316L-AE3-R-VB MOSFET 可以在各种电子应用中使用,包括:
1. **电源管理:**
- DC-DC 变换器。
- 电池充放电管理。
2. **电机驱动:**
- 小型电机控制电路。
- 电机驱动器和逆变器。
3. **LED 驱动器:**
- LED 照明应用。
- LED 显示屏驱动器。
4. **电源开关:**
- 电源开关和保护电路。
- 逆变器和变频器。
5. **便携设备:**
- 紧凑且便携的电子设备。
- 移动电话、平板电脑和其他电池供电的小工具。
通过充分利用其SOT23封装和N-通道特性,UT2316L-AE3-R-VB 适用于需要高效能源管理和负载控制的广泛应用。