W111-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

产品型号：W111-VB  
丝印：VBA4338  
品牌：VBsemi  
参数：
- 2个P—Channel沟道
- -30V
- -7A
- RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- Vth=-1.5V
封装：SOP8  

详细参数说明：
W111-VB是一款具有2个P—Channel沟道的功率MOSFET，工作电压为-30V，最大漏极电流为-7A。在VGS分别为10V和20V时，漏源电阻(RDS(ON))为35mΩ。门阈电压(Vth)为-1.5V。该产品采用SOP8封装。

应用简介：
W111-VB适用于各种领域的功率电路和模块，包括但不限于：
1. 电源管理模块：可用于直流-直流（DC-DC）转换器、开关稳压器（Buck Converter）等。
2. 电动汽车和电动工具：适用于电动汽车的电机驱动模块、电动工具的功率控制模块等。
3. 工业自动化：可用于工业控制系统中的功率开关模块、电机驱动器等。
4. LED照明：适用于LED驱动电源模块、LED照明控制器等。

举例说明：
在电源管理模块中，W111-VB可用于直流-直流转换器中作为功率开关元件，帮助实现电源的高效转换和稳定输出。