WNM4006-3-TR-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**WNM4006-3-TR-VB 详细参数说明：**

- **丝印：** VB1695
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOT23
- **沟道类型：** N-Channel
- **最大承受电压：** 60V
- **最大电流：** 4A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值（Vth）：** 1~3V

**应用简介：**

WNM4006-3-TR-VB是一款N-Channel沟道型场效应晶体管（FET），其设计参数使其适用于多个领域。以下是该产品适用的领域和相应的模块：

1. **电源开关模块：** 由于WNM4006-3-TR-VB的适中电压和较高电流特性，可作为电源开关模块中的关键元件，用于实现电源的高效控制和管理。

2. **电机驱动模块：** 在需要控制电机的应用中，该晶体管可以用作电机驱动模块中的功率开关，实现对电机的精准控制。

3. **LED照明驱动模块：** 适用于LED照明领域，作为LED驱动模块中的关键元件，确保LED的稳定工作和高效能耗。

4. **电源逆变器模块：** 在需要进行电源逆变的应用中，该晶体管可作为逆变器模块中的关键元件，用于控制能源的流动方向。

5. **电流保护模块：** 适用于需要对电流进行有效保护的电子设备，可作为电流保护模块中的关键开关元件，确保电路的安全运行。

WNM4006-3-TR-VB的适用范围涵盖了多个电子模块，特别适合需要中等功率和电流控制的场合。在设计中，可根据具体应用场景，选择该晶体管以提高电路的性能和效率。