10N95K5-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

**产品简介：**
VBsemi的10N95K5-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET，具有900V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导通电阻RDS(ON)为580mΩ，最大漏极电流（ID）为11A，采用SJ_Multi-EPI技术。

**详细参数说明：**
- 封装：TO220
- 极性：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：900V
- 栅极-源极电压（VGS）：30（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻RDS(ON)：580mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：11A
- 技术：SJ_Multi-EPI

**适用领域和模块举例：**
- 太阳能逆变器：由于10N95K5-VB具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻，适用于太阳能逆变器中的直流-交流转换模块。
- 电源管理：在需要高压、高功率的电源管理中，10N95K5-VB可用于电源逆变器、开关电源等模块。
- 工业控制：工业控制系统需要稳定可靠的开关元件，10N95K5-VB可用于工业控制中的电机控制、照明控制等模块。
- 高压开关电源：在医疗设备、通信设备等需要高压开关的场合，10N95K5-VB可用于高压开关电源中的开关元件。

以上是对10N95K5-VB产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。