**产品简介:**
VBsemi的10N95K5-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET,具有900V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻RDS(ON)为580mΩ,最大漏极电流(ID)为11A,采用SJ_Multi-EPI技术。
**详细参数说明:**
- 封装:TO220
- 极性:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):900V
- 栅极-源极电压(VGS):30(±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻RDS(ON):580mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
**适用领域和模块举例:**
- 太阳能逆变器:由于10N95K5-VB具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻,适用于太阳能逆变器中的直流-交流转换模块。
- 电源管理:在需要高压、高功率的电源管理中,10N95K5-VB可用于电源逆变器、开关电源等模块。
- 工业控制:工业控制系统需要稳定可靠的开关元件,10N95K5-VB可用于工业控制中的电机控制、照明控制等模块。
- 高压开关电源:在医疗设备、通信设备等需要高压开关的场合,10N95K5-VB可用于高压开关电源中的开关元件。
以上是对10N95K5-VB产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。