### 产品简介
**10NM60ND-VB MOSFET** 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。该器件具有650V 的漏极-源极电压(VDS),在正负30V 的栅极-源极电压(VGS)下工作。阈值电压(Vth)为3.5V,漏极-源极导通电阻(RDS(ON))为680mΩ(在VGS=10V 时),漏极电流(ID)为12A。采用 Plannar 技术制造,适用于各种领域和模块。
### 参数说明
- **封装类型:** TO220F
- **器件类型:** 单 N-沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 650V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±30V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻):** 680mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 12A
- **技术:** Plannar
### 应用领域和模块示例
1. **电源供应模块:** 10NM60ND-VB 可以用于工业电源系统中的开关电源模块,提供高效的电能转换和稳定的电源供应。
2. **电动汽车充电桩:** 适用于电动汽车充电桩中的开关电源模块,实现充电过程的控制和管理。
3. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中的 DC-AC 转换器模块中,可用于提高能量转换效率。
4. **电力传输:** 可以用于高压直流输电系统中的开关电源模块,实现高效率的电能传输和分配。
5. **工业自动化:** 适用于工业控制系统中的开关电源模块,实现工厂设备的高效控制和运行。
以上是对 10NM60ND-VB MOSFET 的产品简介、参数说明以及在各个领域和模块中的应用示例。