10NM60N-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 10NM60N-VB 产品简介

10NM60N-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有高压（650V）和适中电流（9A）特性。采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于各种高压应用场合。

### 详细参数说明

- **包装类型（Package）**：TO252
- **配置（Configuration）**：单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：650V
- **栅极-源极电压（VGS）**：30V（±）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：9A
- **技术特点（Technology）**：SJ_Multi-EPI

### 应用示例

- **电源管理**：适用于开关电源和逆变器等高压电源管理电路中。
- **照明**：可用于 LED 驱动电路中的高压开关。
- **工业控制**：适用于需要高压开关的工业控制系统。

这些示例只是 10NM60N-VB 在各个领域和模块中的一部分应用，具体应用取决于具体设计需求。