120N06N-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

## 产品简介：

VBsemi的MOSFET产品120N06N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Trench技术，具有60V的漏极-源极电压（VDS）和60A的漏极电流（ID）能力。该产品在TO220封装中提供，适用于需要中等电压和高电流的功率电子应用。

## 参数说明：

- 封装：TO220
- 构型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：60V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 导通电阻（RDS(ON)）：13mΩ @ VGS=4.5V；11mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：60A
- 技术：Trench

## 应用领域和模块：

1. **电机驱动**：由于120N06N-VB具有高漏极电流和低导通电阻，适用于电机驱动器、电动汽车控制器等模块，提供高效率和可靠性。

2. **电源模块**：在需要高功率密度的电源模块中，这款MOSFET可以用于DC-DC转换器、开关电源等模块，支持稳定的电力输出。

3. **电源管理**：在工业和消费电子产品中，120N06N-VB可用于稳压器、电源管理单元等模块，提供可靠的电力控制。

4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，这款MOSFET可用于电池管理系统、车载充电桩等模块，支持高功率密度和能效。

5. **工业控制**：在工业控制设备中，120N06N-VB可用于逆变器、电源管理单元等模块，提供可靠的功率控制和转换。

以上是对120N06N-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。