120N4F6-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 120N4F6-VB TO252 产品简介

120N4F6-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO252 封装技术。该器件具有 40V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 2.5V。在栅源电压为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 6mΩ 和 5mΩ。这款 MOSFET 采用 Trench 技术制造，具备较低的导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效率和高性能的应用场合。

### 详细参数说明

| 参数 | 规格 |
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| 产品型号 | 120N4F6-VB |
| 封装 | TO252 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 40V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 85A |
| 技术 | Trench |

### 应用领域和模块示例

120N4F6-VB 这款 MOSFET 在多个领域和模块中都能发挥重要作用：

1. **电源管理模块**
   - 该 MOSFET 可用于高功率开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，提供高效的能量转换和电流控制，满足对功率密度和效率要求较高的应用场景。

2. **电动工具**
   - 适用于电动工具中的电机驱动器，如电动钻、电动锯等，通过其高电流处理能力和低导通电阻，提供稳定可靠的电动工具性能。

3. **车载电子**
   - 在汽车和其他车辆的电子系统中，120N4F6-VB 可用作电池管理系统 (BMS) 和车载充电系统的关键元件，确保电池和充电系统的安全和稳定性。

4. **工业控制**
   - 该器件可用于工业自动化设备中的开关电路和负载开关，支持高频操作和大电流处理，提升设备的性能和可靠性。

5. **LED 照明**
   - 在 LED 照明系统中，120N4F6-VB 可用作 LED 驱动器的开关元件，实现对 LED 灯的精确控制和调节，提供高效的照明解决方案。

通过以上应用示例，可以看出 120N4F6-VB MOSFET 在多个领域和模块中都具备重要的应用价值，是许多高性能电子系统中不可或缺的关键元件。