2SK1671-VB一种N-Channel沟道TO3P封装MOS管

### 产品简介详

2SK1671-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该型号封装为TO3P，适用于中高功率应用场合，如电源放大器、电机驱动器和工业控制系统等，具有优异的性能和可靠性。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO3P
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 250V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 40mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术类型**: 沟槽型 (Trench)

### 应用领域和模块举例

2SK1671-VB 功率MOSFET适用于多个领域和模块，以下是一些具体的应用实例：

1. **电源放大器**：
   适用于音响系统和功率放大器中的输出级，通过低导通电阻和高电流承载能力，提供清晰、稳定的音频输出。

2. **电机驱动器**：
   在工业和汽车电子领域中，可用于直流电机驱动器，提供高效的电能转换和精确的速度控制。

3. **工业控制系统**：
   用于工业自动化设备和机器人控制系统中的功率开关模块，确保设备的稳定运行和高效能耗。

4. **电源管理**：
   在高功率电源管理系统中，通过其低导通电阻和高电流承载能力，提供高效的电能转换和稳定的输出。

综上所述，2SK1671-VB 在中高功率应用领域具有广泛的应用潜力，其高性能和可靠性为各种电路设计提供了强大的支持。