### 产品简介:
12N50C3-VB TO247是一款单N沟道MOSFET,具有500V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3.8V的阈值电压(Vth)、80mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及40A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造。
### 参数说明:
- **Package(封装):** TO247
- **Configuration(配置):** 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 500V
- **VGS(栅极-源极电压):** 30V(±V)
- **阈值电压(Vth):** 3.8V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 80mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 40A
- **Technology(技术):** SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例:
1. **电源逆变器:** 12N50C3-VB TO247适用于电源逆变器中的开关管,用于将直流电转换为交流电。
2. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中,可以用作关键的开关元件,实现太阳能电能的转换和输出。
3. **UPS电源:** 适用于UPS电源系统中的开关管,提供稳定可靠的电源切换和保护功能。
4. **电动汽车充电桩:** 可以作为电动汽车充电桩中的开关管,控制充电电流和充电时间。
5. **工业控制系统:** 在工业控制系统中,可以用于各种电机驱动和开关控制,提供高效的工业控制方案。
以上示例说明了12N50C3-VB TO247在各种领域和模块中的广泛应用,展示了其高压、高性能和多功能性。