13N03LB-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

### 产品简介：

13N03LB-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），18mΩ@VGS=4.5V和12mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及50A的漏极电流（ID）。采用了Trench工艺。适用于低压、高电流的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** TO263
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** 30V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 20V
- **Vth（阈值电压）：** 1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 18mΩ@VGS=4.5V，12mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 50A
- **Technology（工艺）：** Trench

### 应用示例：

1. **电源模块：** 13N03LB-VB 可用于低压、高电流的电源模块，如电源适配器、LED驱动电源等，以提供稳定的电压和电流输出。

2. **电动工具：** 适用于低压、高电流的电动工具中，如电动钻、电动锤等，实现电机的驱动和控制。

3. **电池管理：** 可用于低压、高电流的电池管理系统中，实现对电池的充放电控制和保护。

4. **DC-DC 变换器：** 适用于低压、高电流的DC-DC变换器中，实现不同电压之间的转换。

5. **汽车电子：** 可用于低压、高电流的汽车电子系统中，如车载充电器、电动车辆控制等。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。