180N10N-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

### 产品简介

**型号：180N10N-VB**

180N10N-VB是VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该产品具有高导通电阻和高电流承载能力，适用于中高压、高电流的开关电源和驱动电路。采用Trench技术，提供优异的性能和可靠性。

### 参数说明

- **封装形式**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：20V（±）
- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：18mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：45A
- **技术**：Trench

### 适用领域和模块

180N10N-VB MOSFET在多个领域和模块中有广泛的应用，例如：

1. **电源管理**
   - 该MOSFET适用于中高压电源管理模块，如DC-DC转换器和开关电源，能够提供高效的电能转换和稳定的电源控制。

2. **电机驱动**
   - 在电机驱动领域，180N10N-VB可以用于驱动电机的开关电路，支持高电流和高频率操作，适用于工业和汽车领域。

3. **电源适配器**
   - 该MOSFET也适用于各种类型的电源适配器，如笔记本电脑充电器和家用电器适配器，确保电源转换的高效率和可靠性。

4. **照明应用**
   - 在LED照明驱动电路中，180N10N-VB可以用于驱动高功率LED灯，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。

5. **工业控制**
   - 在工业控制设备中，该MOSFET可用于各种开关电源和驱动电路，如工业自动化设备和电机控制系统。

通过以上应用示例可以看出，180N10N-VB MOSFET由于其高性能和可靠性，在多个领域和模块中都有重要的作用，是许多电子系统中不可或缺的关键组件。