21NM60ND-VB TO247一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 21NM60ND-VB TO247 产品简介

21NM60ND-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为 TO247。具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力，适用于需要高效能量转换和电流控制的应用。

### 21NM60ND-VB TO247 详细参数说明

- **封装**: TO247
- **配置**: 单 N-沟道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth (阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 21NM60ND-VB TO247 应用领域和模块示例

1. **电源管理**
   - **电力逆变器**: 21NM60ND-VB TO247 可用于电力逆变器中的功率开关，实现对电能的高效转换和控制。

2. **电机驱动**
   - **工业电机驱动**: 在工业电机驱动系统中，21NM60ND-VB TO247 可用于电机控制器，提供高效的电能转换和精确的速度控制。

3. **电力调节**
   - **变压器调节**: 21NM60ND-VB TO247 可用于变压器调节系统中的功率开关，实现对电力的精确调节和控制。

4. **电力传输**
   - **电力输电系统**: 在电力输电系统中，21NM60ND-VB TO247 可用于电力开关和控制，确保电力传输的稳定和高效。

5. **太阳能逆变器**
   - **光伏逆变器**: 在光伏逆变器中，21NM60ND-VB TO247 可用于逆变器的功率开关，实现太阳能电能的高效转换和利用。

21NM60ND-VB TO247 在电源管理、电机驱动、电力调节、电力传输和光伏逆变器等领域展现了其高压高功率的优势和可靠性，为各种高功率应用提供了高效能量转换和电流控制的解决方案。