2SK2796STL-E-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SK2796STL-E-VB 产品简介

2SK2796STL-E-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于各种低压功率电子应用。该型号具有60V 的漏源电压 (VDS) 和 18A 的连续漏极电流 (ID)，在不同的栅源电压下，具有不同的导通电阻 (RDS(ON))，表现出优异的开关性能。采用了 Trench 技术，增强了器件的导电特性和稳定性，使其在低压应用中表现出色。

### 二、2SK2796STL-E-VB 详细参数说明

| 参数                | 数值        | 单位    | 备注                                       |
|-------------------|-----------|-------|------------------------------------------|
| **封装类型**         | TO252     |       |                                          |
| **配置**            | 单 N 沟道    |       |                                          |
| **漏源电压 (VDS)**  | 60        | V     | 最大额定值                                |
| **栅源电压 (VGS)**  | 20（±）   | V     | 最大额定值                                |
| **阈值电压 (Vth)**  | 1.7       | V     | 典型值                                    |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 85        | mΩ    | VGS=4.5V 时                               |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 73        | mΩ    | VGS=10V 时                               |
| **连续漏极电流 (ID)** | 18        | A     | 最大额定值                                |
| **技术**            | Trench    |       | 沟槽结构                                   |

### 三、应用领域及示例

2SK2796STL-E-VB MOSFET 适用于各种低压功率应用，具有广泛的应用领域：

1. **电源管理**：在低压电源管理模块中，该 MOSFET 可以用于稳压器和 DC-DC 转换器。其低 RDS(ON) 值和高漏极电流使其成为高效的电源管理解决方案。

2. **电池管理**：在电池充放电控制电路中，2SK2796STL-E-VB 可以用于电池保护电路和充电管理模块。其低阈值电压和低漏电流特性使其适用于延长电池寿命并提高电池效率。

3. **LED 驱动**：在低压 LED 照明系统中，该器件可用于 LED 驱动器和照明控制模块。其高效能和可靠性有助于提高 LED 灯的效率和寿命。

4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，2SK2796STL-E-VB 可以用于车载电源管理、电动汽车驱动器和车身控制模块。其高漏极电流和稳定性使其成为汽车电子系统的理想选择。

综上所述，2SK2796STL-E-VB MOSFET 在电源管理、电池管理、LED 照明和汽车电子等领域具有广泛的应用前景，并且能够提供高效能和可靠性的解决方案。