### 2SK2799-VB MOSFET 产品简介
2SK2799-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为 TO220。该型号 MOSFET 具有较高的漏源电压和低导通电阻,适用于多种高性能电源管理和开关应用。
### 2SK2799-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:420mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:11A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块的应用举例
2SK2799-VB MOSFET 由于其高漏源电压和低导通电阻的特性,适用于多种高性能应用。以下是一些具体应用领域和模块示例:
1. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,2SK2799-VB 可用作功率开关器件,提供高效、可靠的电能转换和管理。
2. **工业电源**:在工业电源设备中,该 MOSFET 可用于开关模式电源(SMPS)、逆变器等,实现高效、稳定的电能转换。
3. **太阳能逆变器**:在太阳能逆变器中,2SK2799-VB 可用于控制和转换太阳能电池板产生的直流电,供给家庭或工业用电。
4. **医疗设备**:在需要高性能电源管理的医疗设备中,该 MOSFET 可确保设备的安全、稳定运行。
5. **高性能电源模块**:用于制造高性能电源模块,如电源适配器、服务器电源等,提供高效、可靠的电源输出。