2535GEY-HF-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

2535GEY-HF-VB是VBsemi品牌推出的双通道N+P沟道场效应管，采用SOT23-6封装。具有双通道设计，其中一个为N沟道，另一个为P沟道，适用于不同电路需求。产品耐压能力为±20V，最大电流承受能力为7A（N沟道）和-4.5A（P沟道）。在VGS=4.5V时，N沟道的导通电阻为20mΩ，P沟道为70mΩ。阈值电压（Vth）为0.71V（N沟道）和-0.81V（P沟道）。

### 详细参数说明

- **型号**: 2535GEY-HF-VB
- **品牌**: VBsemi
- **丝印**: VB5222
- **沟道类型**: 2个N+P沟道
- **耐压能力**: ±20V
- **电流承受能力**:
  - N沟道：7A
  - P沟道：-4.5A
- **导通电阻**:
  - 在VGS=4.5V时：
    - N沟道：20mΩ
    - P沟道：70mΩ
- **阈值电压(Vth)**:
  - N沟道：0.71V
  - P沟道：-0.81V
- **封装类型**: SOT23-6

### 适用领域和模块举例

2535GEY-HF-VB场效应管适用于以下领域和模块：

1. **电源管理**: 在电源管理领域中，可用于功率开关、反向电压保护等功能，实现对电源的高效管理和保护。
2. **电机驱动**: 适用于电机驱动电路，可用于电机的正反转控制、速度调节等功能，提高电机的运行效率和稳定性。
3. **电源逆变器**: 在电源逆变器中，可用于输出级功率开关，实现对输出电压和频率的控制，适用于太阳能逆变器、UPS等设备。
4. **电动车充电器**: 用于电动车充电器中的功率开关和电流调节，实现对电动车充电过程的精确控制和高效充电。
5. **模拟信号开关**: 作为模拟信号开关，用于模拟信号的开关和转换，例如音频信号开关、模拟电路切换等应用场景。