NTR1P02LT1G-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

NTR1P02LT1G-VB是VBsemi品牌的SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管。以下是详细参数和应用简介：

- 参数：
  - 工作电压：-20V
  - 额定电流：-4A
  - 开态电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压（Vth）：-0.81V

- 封装：
  - SOT23

适用领域和模块示例：
1. **电源管理模块：** 由于是P-Channel沟道晶体管，NTR1P02LT1G-VB可用于电源管理模块中的负极控制，适用于负电压应用。

2. **功率逆变器：** 可用于功率逆变器的开关控制，支持负电压和较高电流的需求。

3. **电流控制模块：** 适用于需要负电流控制的模块，如电流源、电流放大器等。

请注意，具体的应用需求和设计参数可能需要根据实际情况进行调整和验证。