NTR1P02T3G-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

VBsemi NTR1P02T3G-VB 产品详细参数及应用简介：

**参数说明：**
- 丝印：VB2290
- 品牌：VBsemi
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大工作电压：-20V
- 最大漏极电流：-4A
- 静态漏极-源极电阻：RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 门-源阈值电压：Vth = -0.81V

**应用简介：**
NTR1P02T3G-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管，具有低漏电流、低导通电阻等特性，适用于多种电源控制和开关应用。

**典型应用领域及模块示例：**
1. **电源管理模块：** 由于其低漏电流和低导通电阻的特性，NTR1P02T3G-VB可广泛应用于电源管理模块，如开关电源、稳压器等。

2. **电池充放电模块：** 在需要对电池进行精准控制的应用中，该器件可用于构建电池充放电模块，如便携式电子设备、电动工具等。

3. **电流检测模块：** 作为电源控制元件，NTR1P02T3G-VB可应用于电流检测模块，用于监测和调节电路中的电流。

总体而言，NTR1P02T3G-VB在电源管理、电池充放电和电流检测等领域中具有广泛的应用，为这些模块提供可靠的电源控制和开关功能。