NTR1P02LT3G-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**NTR1P02LT3G-VB 详细参数说明：**

- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 最大承受电压：-20V
  - 最大漏电流：-4A
  - 开态电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压（Vth）：-0.81V

**应用简介：**

NTR1P02LT3G-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管，适用于多种电子模块和应用场景。

**适用领域和模块举例：**

1. **电源模块：** 由于其P—Channel沟道和低开态电阻特性，NTR1P02LT3G-VB适用于电源开关和调节模块，能有效降低功耗和提高效率。

2. **电流控制模块：** 在需要对电流进行精确控制的应用中，如电机驱动和LED照明控制，该器件可以提供可靠的性能。

3. **信号放大器：** 在某些信号放大和驱动电路中，NTR1P02LT3G-VB可以被用于实现信号的放大和驱动，其低阈值电压有助于灵活的电路设计。

总的来说，这款器件在需要P—Channel沟道和低功耗的场合下，特别适用于电源、电流控制和信号放大等模块的设计与应用。