VBsemi的07N60S5-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,±V)、3.5V的阈值电压(Vth)、在VGS=10V时的800mΩ的导通电阻(RDS(ON))、以及12A的漏极电流(ID)。该产品采用平面工艺(Plannar)技术。
**产品简介:**
VBsemi的07N60S5-VB是一款高性能TO263封装的单N沟道MOSFET,适用于各种功率电子应用,如开关电源、电源适配器、照明和电动工具等。它具有优异的导通特性和耐压能力,可在高压和高电流条件下稳定工作。
**详细参数说明:**
- 封装:TO263
- 极性:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V(±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):800mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):12A
- 技术:平面工艺(Plannar)
**应用领域和模块示例:**
1. 工业电源模块:07N60S5-VB可用作工业电源模块中的主要开关元件,提供稳定的电源转换效率。
2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,07N60S5-VB可用于驱动电动汽车的电动机控制单元(MCU),提供高效的能量转换。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器的07N60S5-VB具有良好的热稳定性和高功率密度,可提高太阳能电池板的能量转换效率。
4. LED驱动器:07N60S5-VB可用于LED驱动器中,提供高效的功率转换和稳定的电源输出。
5. 工业控制系统:在工业控制系统中,07N60S5-VB可用于开关电源和电机控制,提供可靠的电源开关和控制功能。
这些示例说明了07N60S5-VB在多个领域和模块中的广泛应用,展示了其在不同应用环境下的高性能和稳定性。