10N03LB-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

10N03LB-VB 是一款 TO263 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数：

- VDS（漏极-源极电压）：30V
- VGS（栅极-源极电压）：±20V
- Vth（阈值电压）：1.7V
- RDS(ON)（导通电阻）：在 VGS=4.5V 时为18mΩ，在 VGS=10V 时为12mΩ
- ID（漏极电流）：50A
- 技术：沟道技术

该型号的产品简介详细说明如下：

10N03LB-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于要求高效能和高可靠性的应用场合。其 TO263 封装使其适用于各种环境条件下的工作，并具有良好的散热性能。通过沟道技术，该器件具有低导通电阻和适中的漏极电流的特性，可提供高效的功率转换和可靠的性能。

以下是该型号的详细参数说明：

1. **VDS（漏极-源极电压）**：30V，表示器件可以承受的最大漏极-源极电压。
2. **VGS（栅极-源极电压）**：±20V，表示栅极与源极之间的电压范围。
3. **Vth（阈值电压）**：1.7V，表示栅极-源极之间的电压，使器件开始导通。
4. **RDS(ON)（导通电阻）**：在 VGS=4.5V 时为18mΩ，在 VGS=10V 时为12mΩ，表示器件导通时的电阻大小，影响功率损耗。
5. **ID（漏极电流）**：50A，表示器件可以承受的最大漏极电流，直接影响器件的功率处理能力。
6. **技术**：沟道技术，采用了先进的沟道设计，使得器件具有更低的导通电阻和适中的漏极电流。

该产品适用于以下领域和模块：

- **电源管理模块**：由于其适中的漏极电流和较低的导通电阻，适用于中小功率的功率放大器、开关模块等电源管理模块。
- **消费电子**：可用于手机充电管理、电池管理等模块，提供高效能的功率转换。
- **汽车电子**：适用于汽车电子系统中的电源管理、马达驱动等模块，提供可靠的功率控制。

请注意，以上只是一些常见的应用领域，具体应用取决于实际设计需求和环境。