08N60-VB是一款单N沟道MOSFET,具有以下主要参数:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(门极-源极电压):30V(±)
- Vth(门极阈值电压):3.5V
- RDS(ON)(导通时的漏极-源极电阻):830mΩ@VGS=10V
- ID(漏极电流):10A
- 技术特点:平面工艺
产品简介:
08N60-VB是一款高压、高性能的单N沟道MOSFET。它采用了先进的平面工艺技术,具有较低的导通电阻和较高的漏极电压,适用于各种高压应用场景。
详细参数说明:
1. VDS(漏极-源极电压):650V,可以适应较高的电压环境。
2. VGS(门极-源极电压):30V(±),可靠的门控电压范围。
3. Vth(门极阈值电压):3.5V,可靠的门控特性。
4. RDS(ON)(导通时的漏极-源极电阻):830mΩ@VGS=10V,低导通电阻,有利于减小功耗和提高效率。
5. ID(漏极电流):10A,适用于一般功率要求较高的场合。
6. 技术特点:平面工艺,提供可靠性和稳定性。
应用示例:
08N60-VB可以广泛应用于以下领域和模块:
- 电源模块:适用于高压电源开关、逆变器等模块。
- 电动汽车充电桩:可用于电动汽车充电桩中的功率开关模块。
- 工业控制:适用于工业控制设备中的电源开关等模块。
- LED照明:可用于LED照明驱动器中的开关模块。
- 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率开关模块。
这些示例表明,08N60-VB在高压、高性能要求的场合具有广泛的应用前景。