100N08N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 100N08N-VB 产品简介：

100N08N-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO220 封装，主要特点包括：

- **VDS（漏极-源极电压）**：80V，适用于中等电压应用。
- **VGS（栅极-源极电压）**：±20V，具有较高的栅极工作电压范围。
- **Vth（阈值电压）**：3V，适用于逻辑电平控制。
- **RDS(ON)（导通电阻）**：9mΩ@VGS=4.5V，7mΩ@VGS=10V，低导通电阻，有助于降低功耗和热量。
- **ID（漏极电流）**：100A，能够承受较大的电流负载。
- **Technology（技术）**：Trench，采用沟道结构技术，具有较好的性能和可靠性。

### 100N08N-VB 详细参数说明：

- **封装**：TO220
- **通道**：单路 N-沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：80V
- **VGS（栅极-源极电压）**：±20V
- **Vth（阈值电压）**：3V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：9mΩ@VGS=4.5V，7mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：100A
- **Technology（技术）**：Trench

### 100N08N-VB 在各领域和模块的应用示例：

1. **电源管理模块**：由于其高 VDS 和低 RDS(ON) 特性，100N08N-VB 可以用作电源管理模块中的开关器件，有助于提高效率和降低热量。

2. **电动汽车驱动**：在电动汽车驱动系统中，100N08N-VB 可以用作电机驱动器件，帮助实现高效率和高性能的电动汽车。

3. **工业控制**：在工业控制系统中，100N08N-VB 可以用作开关器件，适用于各种工业控制应用场景。

4. **LED 照明**：100N08N-VB 可以作为 LED 驱动器中的开关器件，帮助实现 LED 灯具的高效率和长寿命。

以上是 100N08N-VB 的一些应用示例，它的特性使其在多个领域和模块中都能发挥重要作用。