### 10N80L-TF2-T-VB 产品简介
10N80L-TF2-T-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。这款MOSFET具有800V的漏源极电压(VDS),能够承受高压环境中的操作。其栅极电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V,具备良好的开关性能。10N80L-TF2-T-VB 在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))为770mΩ,能够提供7A的持续漏极电流(ID),适用于各种需要高效能和可靠性的电力电子应用中。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,确保了其优异的性能和耐用性。
### 10N80L-TF2-T-VB 参数说明
| 参数名称 | 数值 | 单位 |
| ------------------ | ------------ | ------------- |
| 封装类型 | TO220F | - |
| 配置 | 单N沟道 | - |
| 漏源极电压 (VDS) | 800 | V |
| 栅极电压 (VGS) | 30(±) | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 770 | mΩ @ VGS=10V |
| 漏极电流 (ID) | 7 | A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI | - |
### 应用领域和模块举例
1. **电动汽车充电桩**:
10N80L-TF2-T-VB 可用作电动汽车充电桩中的功率开关元件。其高耐压能力和低导通电阻特性,使其能够在高功率的充电桩中提供可靠的性能,确保快速、高效的充电过程。
2. **太阳能逆变器**:
这款MOSFET 适用于太阳能逆变器中的功率开关电路。其高效能和可靠性,使其能够有效地将太阳能转换为电能,提高太阳能系统的能源利用率。
3. **工业电源**:
在工业电源设备中,10N80L-TF2-T-VB 可用于驱动高功率负载和稳定输出电压。其高电流处理能力和低导通电阻,能够满足工业设备对高效能和可靠性的要求。
通过以上应用实例,10N80L-TF2-T-VB 展示了其在多个领域的多功能性和高性能表现,是电力电子设计中不可或缺的元件之一。