10N90L-TF1-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 10N90L-TF1-T-VB 产品简介

10N90L-TF1-T-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有超高压（900V）和适中电流（9A）特性。采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于各种高压应用场合。

### 详细参数说明

- **包装类型（Package）**：TO220F
- **配置（Configuration）**：单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：900V
- **栅极-源极电压（VGS）**：30V（±）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：560mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：9A
- **技术特点（Technology）**：SJ_Multi-EPI

### 应用示例

- **电源管理**：适用于高压开关电源和逆变器。
- **工业控制**：可用于高压工业控制系统中的开关和调节。
- **医疗设备**：适用于医疗设备中需要高压开关的场合。

这些示例只是 10N90L-TF1-T-VB 在各个领域和模块中的一部分应用，具体应用取决于具体设计需求。