13N50L-TF1-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介
VBsemi的13N50L-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有550V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3V的阈值电压（Vth），以及在VGS=10V时为260mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为18A，采用平面技术制造。

### 参数说明
- **包装形式**：TO220F
- **通道类型**：单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：550V
- **VGS（栅极-源极电压）**：30V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：260mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：18A
- **技术**：平面

### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**：13N50L-TF1-T-VB适用于中高压电源模块，如开关电源和电源适配器，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电动车辆**：在电动车辆中，这种器件可用于电机控制和电池管理，实现电动车辆的高效运行和长时间续航。
3. **工业控制**：适用于工业控制系统中的电源管理和电机控制，具有高效、稳定的性能，满足工业环境的需求。
4. **充电桩**：在充电桩中，该器件可用于电源管理和充电控制，提供高效的充电服务。
5. **UPS系统**：适用于UPS系统中的电源逆变器和电池管理，确保UPS系统的稳定运行和长时间备用电源。

以上仅为一些常见应用领域和模块，实际应用中还可能有其他领域和模块。