### 产品简介
VBsemi的13N50L-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有550V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时为260mΩ的导通电阻(RDS(ON))。该器件的漏极电流(ID)额定为18A,采用平面技术制造。
### 参数说明
- **包装形式**:TO220F
- **通道类型**:单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**:550V
- **VGS(栅极-源极电压)**:30V(±V)
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:260mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:18A
- **技术**:平面
### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**:13N50L-TF1-T-VB适用于中高压电源模块,如开关电源和电源适配器,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电动车辆**:在电动车辆中,这种器件可用于电机控制和电池管理,实现电动车辆的高效运行和长时间续航。
3. **工业控制**:适用于工业控制系统中的电源管理和电机控制,具有高效、稳定的性能,满足工业环境的需求。
4. **充电桩**:在充电桩中,该器件可用于电源管理和充电控制,提供高效的充电服务。
5. **UPS系统**:适用于UPS系统中的电源逆变器和电池管理,确保UPS系统的稳定运行和长时间备用电源。
以上仅为一些常见应用领域和模块,实际应用中还可能有其他领域和模块。