23NM60N-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

### 23NM60N-VB 产品简介

**23NM60N-VB** 是一款单极性 N-Channel MOSFET,采用 TO247 封装,具有高电压和高电流处理能力。它采用了 SJ_Multi-EPI 技术,能够在高压环境下提供稳定的性能。

### 详细参数说明

| **参数**              | **数值**                       |
|---------------------|-----------------------------|
| **封装**             | TO247                       |
| **配置**             | 单-N-Channel                 |
| **漏源极电压 (VDS)**  | 650V                        |
| **栅源极电压 (VGS)**  | ±30V                        |
| **阈值电压 (Vth)**    | 3.5V                        |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 160mΩ @ VGS=10V             |
| **连续漏极电流 (ID)** | 20A                         |
| **技术**             | SJ_Multi-EPI                |

### 适用领域和模块

1. **电源逆变器**:23NM60N-VB 可以用于各种电源逆变器和开关电源中,提供高效的功率转换和稳定的电流传输。

2. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,需要高电压和高电流的 MOSFET 来控制电流的传输和充电效率。23NM60N-VB 可以用于充电桩中的功率转换和控制电路。

3. **工业高压设备**:一些工业设备,如工业电机、高压电源和电力传输设备,需要能够承受高电压和高电流的 MOSFET 来保证设备的正常运行。23NM60N-VB 可以应用于这些设备的功率开关和调节电路中。

4. **电力供应系统**:23NM60N-VB 可以用于电力供应系统中的功率开关和调节电路,以确保系统的稳定性和高效率。

5. **LED 照明**:在 LED 照明领域,23NM60N-VB 可以用于 LED 驱动器和控制器中,提供稳定的电流和高效的能源利用率。

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