18P10GS-VB一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 18P10GS-VB TO263 MOSFET产品简介：

18P10GS-VB TO263是一款单P沟道场效应管，具有-100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS）（±V），-2V的阈值电压（Vth），240mΩ@VGS=4.5V和200mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及-12A的漏极电流（ID）。采用了沟道技术（Trench Technology）。

详细参数说明：
- 封装：TO263
- 类型：单P沟道（Single-P-Channel）
- VDS（漏极-源极电压）：-100V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：-2V
- 导通电阻（RDS(ON)）：240mΩ@VGS=4.5V，200mΩ@VGS=10V
- 漏极电流（ID）：-12A
- 技术：沟道技术（Trench）

适用领域和模块示例：
1. 电源模块：18P10GS-VB TO263适用于负电压电源模块，如电源逆变器和负电压开关电源设计。
2. 电池管理：可用于电池管理系统中的负电压保护电路，确保电池安全可靠。
3. 逆变器：在逆变器设计中，可用于高效能量转换和电压控制。
4. 汽车电子：适用于汽车电子模块，如车载电源管理器和车载娱乐系统。
5. 工业控制：在工业控制系统中，可用于负电压开关电路和电机控制器设计。

这些是18P10GS-VB TO263 MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。