18P10GJ-VB一款P-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
VBsemi的18P10GJ-VB是一款TO251封装的单P沟道MOSFET。它具有-100V的漏极-源极电压（VDS）和20V的门极-源极电压（VGS）。采用了沟道技术，具有优异的性能和可靠性，适用于负压应用场合。

**详细参数：**
- 封装：TO251
- 构型：单P沟道
- VDS（漏极-源极电压）：-100V
- VGS（门极-源极电压）：±20V
- Vth（阈值电压）：-2V
- RDS(ON)（导通电阻）：120mΩ@VGS=4.5V；100mΩ@VGS=10V
- ID（漏极电流）：-16A
- 技术：沟道

**适用领域和模块示例：**
- **电源逆变器**：18P10GJ-VB适用于负压逆变器中的功率开关，提供可靠的功率转换和管理。
- **汽车电子**：可用于汽车电子系统中的电源管理模块，提供高效的电源控制。
- **工业控制**：适用于工业控制系统中的功率开关模块，提供可靠的电力传输和控制。
- **LED照明**：18P10GJ-VB可以用于LED照明系统中的功率开关，实现高效的LED光源控制和调节。

以上是对18P10GJ-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式举例说明。