### 产品简介:
VBsemi的1N60-VB TO251是一款单N沟道MOSFET,具有高耐压和低导通电阻。采用Plannar技术,适用于低功率应用。
### 详细参数说明:
- **包装**:TO251
- **结构**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:4300mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:2A
- **技术**:Plannar
### 应用示例:
1. **低功率电源**:由于其低漏极电流和低功率特性,1N60-VB TO251适用于低功率电源模块,如电源开关和稳压器。
2. **LED驱动器**:在低功率LED照明应用中,这款MOSFET可以用作驱动器,提供稳定的电流输出。
3. **电动工具**:在低功率电动工具中,这款MOSFET可以用于电机驱动,提供可靠的开关控制。
4. **智能家居设备**:在低功率智能家居设备中,这款MOSFET可以用于开关控制和电源管理,提高设备的效率和可靠性。
5. **低功率逆变器**:在需要低功率输出的逆变器中,这款MOSFET可以用于控制电能转换,提高系统的效率。
以上是1N60-VB TO251的产品简介、详细参数说明和应用示例。