1N60L-TM3-T-VB一款N-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 1N60L-TM3-T-VB TO251 MOSFET产品简介：

VBsemi的1N60L-TM3-T-VB TO251是一款TO251封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），4300mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及2A的漏极电流（ID）。采用Plannar技术。

1N60L-TM3-T-VB TO251详细参数说明：

- 封装：TO251
- 类型：单通道N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：4300mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：2A
- 技术：Plannar

产品应用领域和模块示例：

1. 电源适配器：1N60L-TM3-T-VB TO251适用于电源适配器中的开关电源电路，可以实现高效率的能量转换。

2. LED照明驱动：由于1N60L-TM3-T-VB TO251具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，可用于LED照明驱动电路，确保LED灯具的稳定工作。

3. 电动汽车充电桩：在电动汽车充电桩中，1N60L-TM3-T-VB TO251可以用于功率开关电路，提高充电效率。

4. 工业控制系统：在需要高电压和适中电流的工业控制系统中，1N60L-TM3-T-VB TO251可以提供稳定可靠的性能。

以上是关于VBsemi 1N60L-TM3-T-VB TO251 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。