### 24N06-VB TO252 MOSFET 产品简介
#### 一、产品简介
VBsemi的24N06-VB TO252是一款单N-沟道MOSFET,采用了Trench技术。该器件具有低导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效率和高功率处理能力的电源管理应用。
#### 二、详细参数说明
- **封装 (Package)**: TO252
- **配置 (Configuration)**: 单N-沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 30mΩ @ VGS=4.5V
- 25mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 45A
- **技术 (Technology)**: Trench
#### 三、应用领域和模块举例
24N06-VB TO252 MOSFET适用于多种领域和模块,以下是一些具体的应用实例:
1. **电源转换器**:由于其低导通电阻和高功率处理能力,24N06-VB TO252可用作电源转换器中的开关器件,实现高效率的能量转换。
2. **电机驱动**:在电机驱动器中,24N06-VB TO252可用作功率开关,控制电机的启停和速度,适用于家用电器和工业设备。
3. **电源管理**:在各种类型的电源管理模块中,24N06-VB TO252可用于电源开关和稳压器,提供稳定的电压和电流输出。
4. **LED驱动**:在LED照明应用中,24N06-VB TO252可用作LED驱动器的开关器件,提供稳定的电流和高效的能量转换。
5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,24N06-VB TO252可用于控制各种类型的负载,如灯光和电动机,提供高效的功率管理。
通过结合其技术特点和具体应用,24N06-VB TO252 MOSFET提供了一个高效且可靠的解决方案,满足了多种现代电子系统的需求。