### 110N12N-VB TO252 产品简介
110N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET,采用 TO252 封装技术。该器件具有 100V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),并且在栅源电压为 10V 时,其导通电阻 (RDS(ON)) 仅为 114mΩ。这款 MOSFET 采用 Trench 技术制造,具备较低的导通电阻和出色的电流处理能力,非常适合需要高效率和高性能的应用场合。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
| --- | --- |
| 产品型号 | 110N12N-VB |
| 封装 | TO252 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 100V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.8V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 114mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 15A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域和模块示例
110N12N-VB 这种高性能的 MOSFET 在多个领域和模块中都能发挥重要作用:
1. **电源管理模块**
- 该 MOSFET 可用于开关电源 (SMPS) 和直流-直流 (DC-DC) 转换器,提供高效的电能转换,减少能量损耗,提高系统的整体效率。
2. **电机驱动器**
- 适用于电机控制应用,包括无刷直流电机 (BLDC) 和有刷直流电机,通过其低导通电阻和高电流处理能力,确保电机运行的平稳和高效。
3. **电池管理系统 (BMS)**
- 在电动汽车和储能系统中,110N12N-VB 可用作电池保护和管理电路的开关元件,提供可靠的电流开关和保护功能,延长电池寿命。
4. **工业自动化**
- 该器件可用于工业控制系统中的继电器替代品和负载开关,支持高频操作和低功耗需求,提升系统可靠性和响应速度。
5. **消费电子**
- 在消费电子产品中,例如智能手机、平板电脑和便携式设备,110N12N-VB 可以用作电源开关和充电管理,优化电路设计,提供稳定的电源管理解决方案。
通过这些应用示例,可以看出 110N12N-VB MOSFET 在广泛的领域中都能提供优异的性能和可靠性,是许多电子设计中不可或缺的重要组件。