110N12N-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 110N12N-VB TO252 产品简介

110N12N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO252 封装技术。该器件具有 100V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，并且在栅源电压为 10V 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 仅为 114mΩ。这款 MOSFET 采用 Trench 技术制造，具备较低的导通电阻和出色的电流处理能力，非常适合需要高效率和高性能的应用场合。

### 详细参数说明

| 参数 | 规格 |
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| 产品型号 | 110N12N-VB |
| 封装 | TO252 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 100V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.8V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 114mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 15A |
| 技术 | Trench |

### 应用领域和模块示例

110N12N-VB 这种高性能的 MOSFET 在多个领域和模块中都能发挥重要作用：

1. **电源管理模块**
   - 该 MOSFET 可用于开关电源 (SMPS) 和直流-直流 (DC-DC) 转换器，提供高效的电能转换，减少能量损耗，提高系统的整体效率。

2. **电机驱动器**
   - 适用于电机控制应用，包括无刷直流电机 (BLDC) 和有刷直流电机，通过其低导通电阻和高电流处理能力，确保电机运行的平稳和高效。

3. **电池管理系统 (BMS)**
   - 在电动汽车和储能系统中，110N12N-VB 可用作电池保护和管理电路的开关元件，提供可靠的电流开关和保护功能，延长电池寿命。

4. **工业自动化**
   - 该器件可用于工业控制系统中的继电器替代品和负载开关，支持高频操作和低功耗需求，提升系统可靠性和响应速度。

5. **消费电子**
   - 在消费电子产品中，例如智能手机、平板电脑和便携式设备，110N12N-VB 可以用作电源开关和充电管理，优化电路设计，提供稳定的电源管理解决方案。

通过这些应用示例，可以看出 110N12N-VB MOSFET 在广泛的领域中都能提供优异的性能和可靠性，是许多电子设计中不可或缺的重要组件。