12N10-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 12N10-VB MOSFET 产品简介

VBsemi的12N10-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装技术。这种MOSFET在100V的漏源电压（VDS）和20V（±V）的栅源电压（VGS）下工作。其开态电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为114mΩ。该器件的额定电流（ID）为15A，采用了Trench技术，具有低导通电阻和高功率承受能力的特点，适用于中功率应用场景。

### 12N10-VB MOSFET 参数说明

- **型号：** 12N10-VB
- **封装：** TO252
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 100V
- **栅源电压（VGS）：** 20（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 1.8V
- **开态电阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 114mΩ
- **额定电流（ID）：** 15A
- **技术：** Trench

### 12N10-VB MOSFET 应用领域及模块示例

1. **电源管理：**
   12N10-VB MOSFET适用于中功率的电源管理模块，如LED照明电源和小型电动工具电源。其低导通电阻和适中的额定电流使其能够处理中功率电源管理需求。

2. **工业控制：**
   在工业控制领域，12N10-VB MOSFET可用于控制各种中功率设备的电源和驱动系统。其适中的额定电流和低导通电阻确保了设备的稳定运行。

3. **家用电器：**
   在家用电器中，如空调和冰箱，12N10-VB MOSFET可用于控制电器的开关和电源管理。其中等的功率特性使其能够满足家用电器的功率需求。

4. **车载电子：**
   在汽车和其他车辆中，12N10-VB MOSFET可用于控制车载电子设备的电源和开关。其适中的功率特性使其能够适应车辆电子设备的功率需求。

通过这些应用领域和模块的实例，12N10-VB MOSFET展示了其在中功率需求场景中的适用性，成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。